Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik in Kooperation mit den Leibniz-Instituten FBH und IHP
Technologisch deckt der Technologiepark 1 den Bereich der Silizium-basierten Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik ab. Die Integration neuer Materialsysteme für MEMS- und NEMS Sensoren und Aktuatoren und deren Kombination mit CMOS Prozessen stellt einen Schwerpunkt innerhalb des Technologieparks dar. Diese Technologien ermöglichen insbesondere die Entwicklung und Pilotfertigung von intelligenten Sensorknoten, cyber-physikalischen Systemen und hardwareorientierten Industrie-4.0-Lösungen.
Die Palette der Technologien wird durch hochfrequenztaugliche MEMS- und SiGe-Elemente erweitert. Im Bereich der More-Moore-Technologien bietet der Technologiepark für 300-mm-Waferdurchmesser einen einzigartigen Maschinenpark, welcher insbesondere die Entwicklung neuartiger Bauelemente in BEoL Bereich und die Systemintegration mittels 3D-Integrationstechnologien umfasst.
Kooperierende Institute
Infrastruktur und Kompetenzen in Silizium-basierte Technologien (Silizium 200 / 300 mm) der Fraunhofer-Institute ENAS, EMFT, ISIT, IMS, IZM und IPMS und des Leibniz IHP.