Verbindungshalbleiter

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Verbindungshalbleiter

Die besonderen Eigenschaften der Verbindungshalbleiter erlauben es Leading-edge-Bauelemente und Schaltungen für Frequenzen bis zu 800 GHz, Leistungstransistoren auf Basis von Wide-Bandgap-Halbleitern sowie optoelektronische Bauelemente zu realisieren.

Verbindungshalbleiter sind – von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid auf Silizium (GaN-auf-Si) abgesehen – im Hinblick auf Waferdurchmesser und Prozessführung nicht kompatibel mit den Silizium-basierten Technologien. Eine wichtige Rolle des Technologieparks Verbindungshalbleiter wird daher die Bereitstellung von III-V-Wafern und -Chips für die Heterointegration mit der Silizium-Elektronik sein. Damit wird das Potenzial auf Verbindungshalbleiter basierender Bauelemente und Schaltungen für Kunden nutzbar gemacht.

Des Weiteren ist dieser Technologiepark so aufgestellt, dass Sondersubstrate wie SiC und Aluminiumnitrid (AlN) für die nächste Generation von Leistungsbauelementen weiterentwickelt werden. Auch neue Entwicklungen wie z.B. eine auf dem Halbleiter Galliumoxid (GaO) oder Diamant basierende Leistungselektronik werden vorangetrieben.

 

Kooperierende Institute

Fraunhofer-Institute HHI und IAF sowie ISIT (200 mm GaN-auf-Si), Leibniz FBH und auf dem Gebiet der SiC-Leistungselektronik und -Materialforschung das Fraunhofer IISB.