Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik in Kooperation mit den Leibniz-Instituten FBH und IHP
Vielseitigkeit, Bandbreite und Effizienz mit digitalen Leistungsverstärkern
Schnelles und effizientes Schalten verbindet die Leistungs- mit der Hochfrequenz-Elektronik (Power meets HF). Bei der Infrastruktur der zukünftigen Mobilkommunikation von sub-6 bis 300 GHz (5G/6G) sorgt es für ein effizienteres Energiemanagement, höchste Flexibilität und Kompaktheit – bei kompletter Digitalisierung.
Vollständig digitales GaN-basiertes Sendemodul
Das Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik hat ein vollständig digitales GaN-basiertes Sendemodul für die 5G-Mobilfunk-Kommunikationsinfrastruktur entwickelt.
Dieses Modul verwendet erstmals einen neuartigen robusten und kompakten digitalen GaN PA-Chip mit stark reduzierter Komplexität im Vergleich zu früheren Designs. Der 1,8 x 1,8 mm² große Chip benötigt drei Stromquellen und eine Eingangsamplitude von nur 700 mVpp.
Das verstärkte Signal am Ausgangspin des Chips wird dann in einen einfachen Bandpassfilter aus konzentrierten SMD-Bauelementen eingespeist, der auf eine Signalfrequenz von 900 MHz abgestimmt ist.
Die Senderkette wird mit einem SPDT-T/R-Schalter vervollständigt, der 8 x 125 µm GaN-HEMTs verwendet. Der Schalter weist eine Einfügungsdämpfung von 0,6 dB im Sendepfad auf.
Beteiligte in der FMD kooperierende Institute: Ferdinand-Braun-Institut (FBH)