Unser institutsübergreifendes Technologieangebot im Bereich »Leistungselektronik«

Die FMD vereint im Technologieangebot »Leistungselektronik« umfassende Kompetenzen zur Herstellung leistungselektronischer Bauelemente und deren Integration in Module und Systeme. Neben dem Design und Prototyping bündelt die FMD breites Know-How bei der Herstellung und Prozessierung von Wide-Band-Gap (WBG) Semiconductors, also Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, die eine wichtige Bedeutung für zukünftige leistungselektronische Anwendungen haben. Die Verwendung dieser WBG-Halbleitermaterialien erlaubt es, leistungselektronische Bauelemente bei höheren Temperaturen und höheren Spannungen sowie höheren Schaltfrequenzen zu betreiben. Und dabei sind sie verglichen mit Si-basierter Leistungselektronik gleichzeitig effizienter und platzsparender. Zu den zukünftig relevanten Materialien zählen Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), die innerhalb der FMD prozessiert werden können. Außerdem kann eine Integration von GaN auf kostengünstigen Si-Substraten angeboten werden.

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