Unsere Reinräume

Reinraumübersicht

Die Reinräume der FMD auf einen Blick

über 2.000 Maschinen in 13 Reinräumen verteilt über ganz Deutschland

mehr als 11.000 m2 Reinraumfläche

über 10 Millionen Moves pro Jahr

Wafer-Größen von 2“ bis 300 mm

Halbleitermaterialien von Si über SiGe zu Verbindungshalbleitern wie SiC, GaN, GaAs, InP und vielem mehr

Datenschutz und Datenverarbeitung

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WebMap Fraunhofer

Übersicht der Reinräume der FMD-Institute

Technologische Highlights

7 Reinräume, teilweise mit Automotive Zertifizierung

200 mm BiCMOS / CMOS Linien, inkl. FEOL and BEOL Module

Angebot an Spezialtechnologien, wie HV CMOS und Hochtemperatur CMOS (bis 300 °C)

Schnittstelle zu Foundry Unternehmen

300 mm Material-, Prozess- und Equipmentscreening Linie

200 mm / 300 mm Packaging Linien

Anwendung von automatisiertem Inline Prozess Monitoring

Frontend- und Backend Kontaminationsmanagement und –kontrolle

Einzelprozessentwicklung und –optimierung, wie zum Beispiel Ätzen, ALD/ALE, Nassreinigung, Annealing, Epitaxie (Si,SiGe), Implantation,CMP und vieles mehr

Unser Know-how im Detail

200 mm

Fraunhofer IISB, 200 mm Si Linie

über 1500 m2 Reinraumfläche - ISO 4 

Fraunhofer EMFT, ≤ 200 mm CMOS Linie

ca. 1000 m2 Reinraumfläche - ISO 4

Fraunhofer IMS, 200 mm CMOS Linie

über 1500 m2 Reinraumfläche - ISO 4

Fraunhofer ISIT 200 mm Si Linie

über 1500 m2 Reinraumfläche - ISO 4 / 5

Leibniz IHP, 200 mm (Bi)CMOS Linie

ca. 1000 m2 Reinraumfläche - ISO 1

Europractice IC Service

Fraunhofer IZM-Berlin 200 mm Packaging Linie

ca. 1500 m2 Gesamtreinraumfläche an den Standorten Berlin und Moritzburg - ISO 6

 

300 mm

Fraunhofer IPMS 300 mm Screening FAB
ISO 6

Fraunhofer IZM-ASSID 300 mm Packaging Linie
ca. 800 m2 Reinraumfläche - ISO 6

 

Technologische Highlights

6 Reinräume mit 200 mm MEMS Linien und Foundry

Schnittstellen zu Foundry Unternehmen

ausgewählte Prozesse auf 300 mm Waferdurchmesser

200 / 300 mm Packaging Linien

Frontend- und Backend Kontaminationsmanagement und –kontrolle

Einzelprozessentwicklung und –optimierung, wie zum Beispiel Ätzen – tiefes Si Ätzen, ALD/ALE, Nassreinigung, Piezomaterialien und vieles mehr

Unser Know-how im Detail

200 mm

Fraunhofer ENAS ≤200 mm MEMS und Sensor-Linie
ca. 1000 - 1500 m2 Reinraumfläche - ISO 4 / 6

Fraunhofer IMS 200 mm MEMS Linie
ca. 1300 m2 Reinraumfläche - ISO 4

Fraunhofer IPMS 200 mm MEMS Linie
mehr als 1500 m2 Reinraumfläche an 2 Standorten - ISO 4

Fraunhofer ISIT 200 mm MEMS Linie
über 1500 m2 Reinraumfläche - ISO 4 / 5

Fraunhofer IZM-Berlin 200 mm Packaging Linie
ca. 1500 m2 Gesamtreinraumfläche an den Standorten Berlin und Moritzburg - ISO 6

 

Fraunhofer IZM-Berlin 200 mm Packaging Linie
ca. 1500 m2 Gesamtreinraumfläche an den Standorten Berlin und Moritzburg - ISO 6

 

300 mm

Fraunhofer IZM-ASSID 300 mm Packaging Linie

ca. 800 m2 Reinraumfläche - ISO 6

 

Technologische Highlights

SiC-Prototyp-Foundry: Herstellung von Siliziumcarbid-Bauteilen mit Wafergrößen von 100 mm und 150 mm am Fraunhofer IISB

InP Foundry: InP-Processing bis zu 4” und InP-based Photonic-Integrated Circuits am Fraunhofer HHI

GaN-on Si 200 mm am Fraunhofer IAF & ISIT

Typische III-V-Halbleiter: GaAs,  InxGa1-xAs,  InxGa1-xAsyP1-y,  InP,  GaN,  AlGaN,  AlN, AlScN, GaSb und weitere

Unser Know-how im Detail

Bis zu 4" Verbindungshalbleiter

Leibniz FBH bis zu 100 mm Verbindungshalbleiter
ca. 2700 m2 Reinraum- und Laborfläche - ISO 5/6

 

 

Fraunhofer HHI bis zu 100 mm Verbindungshalbleiter

ISO 4 / 6

Fraunhfoer IAF bis zu 100 mm Verbindungshalbleiter und WBG-Materialien

ca. 1000 m2 Reinraumfläche - ISO 3 / 4

Bis zu 6" Verbindungshalbleiter

Fraunhofer IISB 150 mm SiC Linie
über 1500 m2 Reinraumfläche - ISO 4

 

 

Bis zu 8" Verbindungshalbleiter

Fraunhofer IAF (ISO 3 / 4) und ISIT (ISO 4 / 5) 200 mm GaN-on-Si Linie (in Kooperation)

gemeinsam über 2500 m2 Reinraumfläche