Die gesamte Wertschöpfungskette für die Mikro- und Nanoelektronik aus einer Hand

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Anmeldung zu den 2. FMD Innovation Days 2019 mit dem Fokusthema "Microwave and Terahertz"

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Profitieren Sie vom größten standortübergreifenden FuE-Zusammenschluss für die Mikro- und Nanoelektronik in Europa

Unser Anwendungsangebot

Lernen Sie unsere Anwendungs- und Applikationsbeispiele in den folgenden Bereichen kennen:

Unser Technologieangebot

Erfahren Sie mehr darüber, wie Sie von unseren Technologien profitieren können:

 

Sensorsysteme

Design und Herstellung von Sensoren, sowie deren Integration, Charakterisierung und Prüfung in Systemen

 

Extended CMOS

Design und Herstellung von CMOS-Schaltkreisen, sowie deren Integration in Systeme

 

 

Microwave & Terahertz

Leading-edge- Bauelemente und Schaltungen für Frequenzen bis in den THz-Bereich

 

Leistungselektronik

Leistungselektronische Bauelemente und deren Integration in Module und Systeme

 

MEMS-Aktoren

Design und Herstellung sowie deren Charakterisierung, Prüfung und Systemintegration

 

Optoelektronische Systeme

Vollständig integrierte optoelektronische Systeme für Bilderfassung und -verarbeitung, Kommunikation bis in den Tbit/s-Bereich & Spektroskopie

Aktuelles aus der FMD

Veranstaltung / 12.9.2019

FMD Innovation Days 2019

Am 12./13. September 2019 finden in Frankfurt (Oder) die 2. FMD Innovation Days mit dem fachlichen Schwerpunkt »Microwave & Terahertz« statt.

Applikationsbeispiel

LiDAR+

Lösungen für den Automotive-Bereich und industrielle Anwendungen

Gründermodul

FMD-Space

Der High-Tech-Inkubator für Innovatoren & Start-Ups.

Infrastruktur in der FMD

Reinraumübersicht

Erhalten Sie einen Überblick über die deutschlandweite Reinraum-Infrastruktur und technologischen Highlights der FMD.


Für die Modernisierung und Ergänzung ihrer Anlagen und Geräte erhalten die Gründungsteilnehmer – elf Institute des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik sowie das Leibniz FBH und IHP – insgesamt rund 350 Millionen Euro vom Bundesministerium für Bildung und Forschung.