GaN Chip Prepackage

© Fraunhofer IZM

GaN Chip Prepackage zur Integration in metallisierte Guss-Module.

Modul mit perfekter Schaltung auch bei höchster Schaltgeschwindigkeit, hoher Zuverlässigkeit, geringstem Wärmewiderstand in Kombination mit einem kostengünstigen (Kunststoff-) Kühler.

Das Modul beseitigt dabei Verpackungsbarrieren:

Ein zweilagiges Keramiksubstrat mit einer kühleren Struktur auf der Unterseite ermöglicht eine extrem niedrige Zwischenkreisinduktivität, eine EMI-Abschirmung, einen kurzen Wärmeweg, eine gute Wärmeverteilung und mechanische Steifigkeit gegenüber dem Kühlwasserdruck.

In Kombination mit einer innovativen metallisierten Transferform-Kapselung können lokale Zwischenkreiskomponenten als SMD auf dem Modul sowie auf Teilen des Treibers montiert werden, was für ein schnelles Einschalten und zur Vermeidung von störendem Einschalten erforderlich ist.

 

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