Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik in Kooperation mit den Leibniz-Instituten FBH und IHPIntegration neuer Materialsysteme
MEMS-/ NEMS Sensoren und Aktuatoren und deren Kombination mit CMOS-Prozessen
Hochfrequenztaugliche MEMS und SiGe-Elemente
Entwicklung neuartiger Bauelemente in BEoL-Bereich
Bauelement- und Systemintegration auf 300 mm Wafer
Verbindungshalbleiter für Leading-Edge-Bauelemente und Schaltungen für Frequenzen bis zu 800GHz
Leistungstransistoren auf Basis von Wide-Bandgap-Halbleitern sowie optoelektronische Bauelemente
Weiterentwicklung von Sondersubstraten (z.B. SiC, AIN, Ga2O3)
